碳化硅粉末中杂质元素的测定
碳化硅粉末中杂质元素的测定 – 内燃机文摘
1992-10-27 · 《碳化硅粉末中杂质元素的测定》的作者是刘翰晟，其 《碳化硅粉末中杂质元素的测定》于 1992年发表在上海金属.有色分册的第5期上。 《碳化硅粉末中杂质元素的测定》的主要内容是“ 陶瓷材料，高纯酸，杂质分析，微量杂质，热原子，高温技术，混合酸，高压法，最终产品，微电子工业”这几，LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析行业新闻,2018-11-18 · LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。. 痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响 [1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其，9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标 - 中国粉体网,2019-9-2 · 中国粉体网讯 碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。 而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定，碳化硅中杂质标准-分析测试百科网,法国标准化协会 ，关于碳化硅中杂质的标准. NF B41-105-2011 陶瓷原料和基本材料的试验.直流电弧激发的光谱仪 (OES)对碳化硅粉末和颗粒内杂质质量分数的直接测定. NF B41-106-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.电热蒸发 (ETV)电感耦合等离子体发射光谱法 (ICP OES)直接测定，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标GB/T37254-2018，,2019-9-12 · 碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度，因此，国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子，,2020-9-24 · 国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明.doc,PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明（预审稿） 一、工作简况 1.立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场，等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量-行业新闻，,2014-5-27 · 随着使用环境的苛刻要求，碳化硅的纯度要求也越来越高，这就需要准确测定碳化硅粉末中的杂质。工业用碳化硅粉末的生产一般采用固相法，即通过二氧化硅与碳发生碳热还原反应或者硅粉与炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而获得。这种工艺决定了碳化硅
碳化硅的测定 - 豆丁网
2012-12-3 · 表1碳化硅测定结果对照(n--6) (下转第159页) 岳航：碳化钨／钴合成粉末中碳含量的测定 碳含量(平行测定3次)，再加上LECO公司501—123碳 化钨标样(碳的标准值为6．21％土0．05％)作为对照，共 4点。根据测定结果绘制计算值和实际值曲线(图2)。碳化硅标准-分析测试百科网 - antpedia.com,1991-2-1 · EN 15979-2011 陶瓷原料和基本材料的测试.直流电弧激发发射光谱法直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数 EN ISO 21068-3-2008 含碳化硅的原材料和耐火制品的化学分析.第3部分:氮,氧和金属及氧化成分的测定碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网,2011-3-22 · 碳化硅含量是衡量产品质量的一项重要指标，现将各类碳化硅含量的测定方法综述如 1国家标准1．1中华人民共和国进出口商品检验行业标准（SN／ T0256－93） 出口碳化硅分析方法：碳化硅含量的测定适用于冶金脱氧剂和耐火材料出口中碳化硅 含量国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子，,2020-9-24 · 国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明.doc,PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》 编制说明（预审稿） 一、工作简况 1.立项目的和意义 碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场，碳化硅的测定 - 豆丁网,2012-12-3 · 表1碳化硅测定结果对照(n--6) (下转第159页) 岳航：碳化钨／钴合成粉末中碳含量的测定 碳含量(平行测定3次)，再加上LECO公司501—123碳 化钨标样(碳的标准值为6．21％土0．05％)作为对照，共 4点。根据测定结果绘制计算值和实际值曲线(图2)。9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标--《中国粉，,【摘要】：正碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能,是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量,而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定 …一种碳化硅复合材料中碳化硅含量的测定方法与流程,一种碳化硅复合材料中碳化硅含量的测定方法，采用高频红外碳硫分析仪进行，包括以下步骤：. (1)将碳化硅复合材料样品置于恒重铂金坩埚内，放在马弗炉灼烧除碳，恒重一段时间，去除碳化硅试样中的游离碳；. (2)用电子天平称量1.5～2.5g铜，铜中碳含量小于0，
碳化硅SIMS测量| EAG实验室
碳化硅的SIMS测量 应用笔记 引言 碳化硅因其优异的电子和热性能而成为高功率，高温，高频和高辐射装置的重要材料。 基于SiC的功率晶体管取得了巨大进步， LEDs和传感器使得必须精确控制掺杂剂和杂质水平。 二次离子质谱（SIMS） 对各种元素具有非常高的检测灵敏度。碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网,2011-3-22 · 碳化硅含量是衡量产品质量的一项重要指标，现将各类碳化硅含量的测定方法综述如 1国家标准1．1中华人民共和国进出口商品检验行业标准（SN／ T0256－93） 出口碳化硅分析方法：碳化硅含量的测定适用于冶金脱氧剂和耐火材料出口中碳化硅 含量二氧化硅粉末怎么测定里面的铬杂质_百度知道,2016-4-18 · 测定二氧化硅粉末里面的铬杂质，可以参考土壤中铬元素的测定方法。原理：含有铬的二氧化硅粉末用酸消解之后，将其中的铬氧化为六价铬，然后用分光光度法或者原子吸收分光光度 …碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等-涨知识,2017-11-7 · 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β-碳化硅转变成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃依然安稳。什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 - 知乎,2021-9-8 · 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好…ICP测试原理和样品消解溶解、制备教程 - 知乎,2021-10-7 · 萃取（除去）基本元素 测定氧化铀（U3O8）中杂质元素时，可将U3O8溶于硝酸中，用磷酸三丁脂（TBP）在分液漏斗中萃取除去基体UO2（NO3）2，铀转移入有机相中，待测元素（杂质元素）仍留在水相中，进行分析。萃取分析元素11月如皋-半材标委-年会资料 - 半导体 - 中国有色金属标准质量，,2020-11-20 · 11月如皋-半材标委-年会资料. 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》编制说明（讨论稿）.doc. 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》（讨论稿）.doc. 国家标准《硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法，
一种碳化硅复合材料中碳化硅含量的测定方法与流程
一种碳化硅复合材料中碳化硅含量的测定方法，采用高频红外碳硫分析仪进行，包括以下步骤：. (1)将碳化硅复合材料样品置于恒重铂金坩埚内，放在马弗炉灼烧除碳，恒重一段时间，去除碳化硅试样中的游离碳；. (2)用电子天平称量1.5～2.5g铜，铜中碳含量小于0，什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途 - 知乎,2021-9-8 · 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好…高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学,2020-8-21 · 采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化…9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标--《中国粉，,【摘要】：正碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能,是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量,而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定 …高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述_化学,2019-5-1 · [1]本文主要针对PVT法生长单晶用高纯SiC粉体的合成工艺方法进行了阐述。碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉体的合成方法主要有：CVD法…碳化硅SIMS测量| EAG实验室,碳化硅的SIMS测量 应用笔记 引言 碳化硅因其优异的电子和热性能而成为高功率，高温，高频和高辐射装置的重要材料。 基于SiC的功率晶体管取得了巨大进步， LEDs和传感器使得必须精确控制掺杂剂和杂质水平。 二次离子质谱（SIMS） 对各种元素具有非常高的检测灵敏度。碳化硅粉体粉末生产工艺技术配方制造方法,2021-7-12 · 碳化硅粉体粉末生产工艺技术配方制造方法. [简介]：本技术提供了一种低氮高纯碳化硅粉料合成的方法，涉及碳化硅合成技术领域；具体是将原料粉体装在有排气孔的坩埚内，将坩埚置于炉中，将炉腔抽真空后升温；之后向炉腔中注入高纯H2至750?850mbar，然后抽，
ICP测试原理和样品消解溶解、制备教程 - 知乎
2021-10-7 · 萃取（除去）基本元素 测定氧化铀（U3O8）中杂质元素时，可将U3O8溶于硝酸中，用磷酸三丁脂（TBP）在分液漏斗中萃取除去基体UO2（NO3）2，铀转移入有机相中，待测元素（杂质元素）仍留在水相中，进行分析。萃取分析元素,,,,,,
请转载《碳化硅粉末中杂质元素的测定》这篇文章时，请标注文章来源：碳化硅粉末中杂质元素的测定
上一篇：深圳市有100克多功能中